|
|
пусковая площадка -40 зазора 1.0mmt 3,0 W/M-K термальная к 160℃2023-08-01 13:54:04 |
|
|
5W / Проводимость МК термально изолируя материалы для модулей памяти РДРАМ2023-02-28 13:47:18 |